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碳化硅杂质
碳化硅杂质
2023-09-09T12:09:24+00:00
在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ 百度知道
2016年2月18日 ①首先来讲碳化硅的酸洗。酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是为了去除碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质。这样可 2019年10月10日 本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓 度及分布的二 2023年8月23日 碳化硅（SiC） 是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。 其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。 这 碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 知乎2022年5月28日 在碳化硅中，铝杂质常用来调控碳化硅的宏观电学特性。 带负电的铝杂质在碳化硅中引入大量空穴，实现了P型碳化硅的制备。 然而，科研人员发现在碳化硅掺铝 给碳化硅“看病”！浙大杭州科创中心在碳化硅缺陷研究方面 2023年5月4日 纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 αSiC和立方体的βSiC（称立方碳化硅)。碳化硅百度百科
怎样去除碳化硅晶体中杂质？ 产品知识 锐石新材料
2015年2月2日 碳化硅晶体中的杂质是：铁、铝、钙、镁、硅等的氧化物和碳化物，以及它们的共熔物。这些杂质在冶炼炉热动力条件下，温度在2100——2200℃时被蒸发排出 2022年9月13日 工业用碳化硅通常含有2%左右的杂质，其中主要有二氧化硅、硅、铁、铝、钙、镁及碳。根据碳化硅的色泽及主要用途，碳化硅的分类大致如下：黑色碳化硅，代号TH，主要用于研磨材料和耐火材料；绿 碳化硅耐火材料百度百科2021年9月8日 工业用碳化硅为人工碳化硅，SiC含量为95%～995%，常含少量的游离碳，以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。 碳化硅按结晶类型可分为六方晶系(αSiC)和立方晶系(βSiC)，六方晶系又因其结晶排列的周期性不 什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 知乎2021年6月9日 工业生产的碳化硅砂除主成分SiC外，通常含有的杂质。这些杂质主要有： （1）游离硅。它一部分溶解于SiC晶体中，一部分与其杂质（如铁、铝、钙等）形成合金而粘附于晶体上或嵌在晶体中。（2）游离二氧化硅。通常存在于晶体表面。碳化硅及其在耐火材料中的应用 知乎2019年11月29日 碳化硅的导电性较强，属于半导体，温度达2000℃时，碳化硅的导电能力和石墨相当。碳化硅常常被用于制造硅碳棒、硅碳管等发热元件。碳化硅的耐高温性好。常压下，碳化硅的不一致熔融温度为2760℃。碳化硅具有很高的强度，抗折强度可达625MPa。碳化硅质耐火原料的矿物、物理、化学性质简述与技术条件
碳化硅含量的测定方法 豆丁网
2011年3月22日 分析方法本方法为质量分析法,适用于炭素行业碳化硅含量大于10%产品的碳化硅含量分析。 方法原理将试样灰化除碳,加入硝酸、硫酸、氢氟酸,之与试样中的硅、二氧化硅反应生成四氟化硅除掉,反应式如下。 之后,再加入盐酸溶解杂质,经过残留物质为碳化硅,经 2022年6月15日 碳化硅(silicon carbide，SiC)作为第三代半导体材料，具有比硅(Si)更优越的性能。不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有独特的应用优势，使得其在轨道交通、新能源汽车 论文合集 SiC最新研究进展材料电子碳化硅2021年8月24日 碳化硅的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，能够以更高的杂质浓度和更薄的漂移层，制作耐受电压高达600V至数千V的功率器件。 高耐压功率器件的阻抗主要取决于该漂移层的阻抗，因此采用碳化硅可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。碳化硅功率器件之一 知乎2023年1月2日 半绝缘型碳化硅衬底：半绝缘衬底制备工艺通过去除晶体中的各种杂质，特别是浅能级杂质，实现晶体本征高电 阻率。 PVT 法在高温条件下制备碳化硅衬底时，生长反应腔室内的碳化硅粉料、石墨材料等都会释放出杂质并生长进入晶体，影响晶体纯度和电学性 碳化硅 SiC 知乎2005年3月19日 与杂质的离化程度有着密切的联系0如果像,1 和 IJKD那样在常温下认为杂质全部离化，势必给用常 规的器件模型来分析,12 器件的特性带来误差0所 以杂质的离化率"是必须考虑的问题0由于碳化硅 具有特殊的晶格结构，当杂质位于不同的晶格点时界面态电荷对 ! 碳化硅 沟 $%’() 物理学报
碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等涨知识
2017年11月7日 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅，α碳化硅在2400℃依然安稳。2023年6月26日 关注 全球与中国单晶碳化硅衬底行业发展状况分析及投资策略分析报告20232030年 1 单晶碳化硅衬底市场概述 11 单晶碳化硅衬底行业概述及统计范围 12 按照不同产品类型，单晶碳化硅衬底主要可以分为如下几个类别 121 不同产品类型单晶碳化硅衬 硅与碳化硅半导体掺杂工艺的差异？以及产生差异的物理特性 2022年11月24日 但是，用艾奇逊法所获得的黑碳化硅粉存在杂质的问题，而用化学气相生长法可以获得高纯度的碳化硅但存在生产率低的问题。 此外，还公开了对液态的硅化合物与加热产生碳的有机化合物的混合物进行加热并使其反应，各杂质元素的含有量在05ppm以下的碳化硅单晶制造用碳化硅粉体的制造方法 黑碳化硅粉 知乎2020年7月4日 碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高，杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的，一般可采用6#~20#混合粒度砂。耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号2023年8月23日 晶界缺陷与杂质： 挑战： 在碳化硅制备过程中，晶界缺陷和杂质可能会影响材料的性能和稳定性。这些缺陷和杂质可能导致电子和热传导性能下降，从而影响应用效果。解决方案： 通过优化制备工艺和材料处理步骤，可以减少晶界缺陷和杂质的形成。碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 知乎
碳化硅的生产方法、性能、种类及行业应用微粉sic碳化硼
2022年2月23日 碳化硅多数分为黑碳化硅和绿碳化硅。纯碳化硅是无色透明的，由于杂质(Al和N等) 固溶而变成黑色和绿色，杂质越多，颜色越黑。图8 黑碳化硅1级和2级的XRD 中国黑碳化硅和绿碳化硅都是使用硅石生产，其中绿碳化硅为了除去Al而添加盐。除了中国 2021年11月17日 (5)二级品碳化硅 该层已成为αSiC，但结晶小、脆弱、杂质多，碳化硅含量仅为90~95%，不能作为研磨材料使用。二次品和无定形物的外观容易区分。无定形物层βSiC为粉末状，无光泽，二次品为六方晶体，晶面清晰，有光泽，如镜面反射。黑碳化硅和绿碳化硅的工艺和区别 知乎2023年6月27日 1 ppt = 1 ng/kg 1 ppt =1ng/L 1ppm=1000ppb=ppt 极微量杂质对芯片制造的影响 比如说，在硅晶体中，即使是ppb级别的微量杂质也可能显著改变硅的电性能。 这是因为这些杂质原子可能会成为电荷载流子，改变硅的导电性。 因此，在半导体制造过程中，必须要严格 浓度单位ppm、ppb和ppt详解 知乎2020年12月7日 碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。 该冶炼制得的SiC若不含有杂质，呈现无色透明晶体状 碳化硅简介 知乎2022年3月28日 3）碳化硅晶体结构类型众多，杂质控制难度高。 碳化硅存在 200 多种晶体结构类型，但仅 其中六方结构的 4H 型（4HSiC）等少数几种晶体结构碳化硅为所需材料，在晶体生长过 程中，需精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速度以及气流气压等参数，否则容易 产生多晶型夹杂，降低产品良率。碳化硅SiC行业研究：把握碳中和背景下的投资机会 知乎
碳化硅化工百科 ChemBK
2022年1月1日 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。在常压下2500℃时发生分解。相对密度320～3 25,介电常数70，室温下电阻率102M．cm。2022年9月21日 碳化硅粉 碳化硅粉：制备高质量碳化硅单晶需要杂质含量低、粒径均匀的碳化硅料源，尤其是在制备高纯半绝缘碳化硅或者掺杂半绝缘碳化硅时，对低杂质含量的要求非常高。 事实上，碳化硅料源合成过程中进入掺杂元素的可能性很多，例如合成粉料的来源 碳化硅粉 知乎2023年3月29日 因此，使用马来酸作为催化剂确保了适用于其中硫作为杂质的半导体领域的碳化硅粉体的制造。 另外，为了制造平均粒径为100至200μm的碳化硅粉体，也已经提出了将含有硅源、碳源和催化剂的混合物在两个阶段中加热的技术。碳化硅粉 知乎2022年1月1日 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。在常压下2500℃时发生分解。相对密度320～3 25,介电常数70，室温下电阻率102M．cm。碳化硅化工百科 ChemBK2023年4月24日 碳化硅（SiC）是一种无机物，其工业制法是选用石英砂、石油焦等材料在电阻炉内炼制成块，进而再经过加工制成各种粒度的碳化硅粉。 工业用途的碳化硅因为其含有杂质的种类和含量不同，呈现出浅黄 碳化硅的理化性质是什么？ 知乎
碳化硅含量的测定综述 豆丁网
2011年3月22日 碳化硅含量是衡量产品质量的一项重要指标，现将各类碳化硅含量的测定方法综述如1国家标准1．1中华人民共和国进出口商品检验行业标准（SN／T0256－93）出口碳化硅分析方法：碳化硅含量的测定适用于冶金脱氧剂和耐火材料出口中碳化硅含量的分析方 2022年5月28日 在碳化硅中，铝杂质常用来调控碳化硅的宏观电学特性。 带负电的铝杂质在碳化硅中引入大量空穴，实现了P型碳化硅的制备。 然而，科研人员发现在碳化硅掺铝的过程中无意形成了大量带正电的碳空位，它们能影响碳化硅材料整体的电学性能，制约P型碳化硅电阻率的降低。给碳化硅“看病”！浙大杭州科创中心在碳化硅缺陷研究方面 2022年9月13日 工业用碳化硅通常含有2%左右的杂质，其中主要有二氧化硅、硅、铁、铝、钙、镁及碳。根据碳化硅的色泽及主要用途，碳化硅的分类大致如下：黑色碳化硅，代号TH，主要用于研磨材料和耐火材料；绿色碳化硅，代号TL，用于研磨材料和耐火材料，也可用来制造电阻元件(如硅碳棒)等；矾土碳化硅 碳化硅耐火材料百度百科2014年9月9日 再次，介绍了碳化硅 材料的理论模型、计算方法以及结果的分析方法。最后，系统计算了4H．SiC的本征态电子结构和用N、P和As分别掺杂后的电子结构，包括能带结构，态密度。结果表明，4H．SiC是一种间接半导体材料。掺杂后，禁带宽度变化 sic材料n型掺杂的性原理研究 豆丁网2020年2月12日 但纵观其它行业却存在着其他的除铁方法、工艺，现列出一部分工艺以对碳化硅微粉除铁工艺提供理论依据。 1、氧化法浸出 氧化除铁法利用强氧化剂 (次氯酸钠、氯气等)在水介质中将不溶于水的Fe氧化成溶于水的Fe2+，从而通过洗涤将铁杂质除去。 2、还 5种碳化硅微粉去除铁杂质的工艺方法水进行
黑碳化硅是什么及适用范围 知乎
2021年5月10日 纯黑碳化硅是无色透明的晶体。工业黑碳化硅因所含杂质 的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。 黑碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的αSiC和立方体的βSiC(称立方黑碳化硅)。αSiC由于其晶体结构中碳和硅 2019年4月15日 可是用过的碳化硅该怎么处理呢?今天千家信耐材的小编就带大家来看看废旧碳化硅怎么回收?碳化硅在光伏产业的应用有哪些? 碳化硅在光伏产业的应用 其特征在于，是对含硅砂浆中碳化硅的回收方法，含硅砂浆含碳化硅怎么回收 碳化硅在光伏产业的应用杂质2020年3月31日 什么是反应烧结碳化硅？ 在碳化硅中加入金属硅粉和碳（石墨、碳黑等），在1450℃埋碳烧成，使硅粉与碳反应生成低温型β－SiC ，将原碳化硅颗粒结合起来。另一种方法：由碳与金属硅直接反应生成碳化硅制品，即用碳或碳与碳化硅成型，埋硅烧成。什么是反应烧结碳化硅—反应烧结碳化硅优点及用途 Silicon 2021年10月13日 石墨中所含的杂质，主要是 钾、钠、镁、钙、铝等的硅酸盐矿物，石墨的提纯工艺，就是采取有效的手段除去这部分杂质。 目前，提纯石墨的方法主要有浮选法、碱酸法、氢氟酸法、氯化焙烧法、高温法等。 01 浮选法 由于石墨表面不易被水浸润，因此具 石墨提纯的方法及优缺点石墨提纯的方法及优缺点杂质2021年7月14日 为了制备高阻不导电的碳化硅（半绝缘型），在生长时需要加入钒（V）杂质，钒既可以产生电子，也可以产生空穴，让它产生的电子中和掉硼、铝产生的空穴（即补偿），它产生的空穴中和掉氮产生的电子，所以所生长的碳化硅几乎没有游离的电子、空穴，形成国产化进程大提速，SiC衬底迎来黄金成长期碳化硅
第三代半导体碳化硅（1） 知乎
2022年9月6日 已认证账号 第三代半导体碳化硅（1） 地球上几乎所有的能源都能转换成电力，而电能用于特定目的都需要功率调节和转换，目前主要调节功率的效率是由半导体器件性能所决定。 功率半导体主要用于电 2023年8月21日 一、什么是SiC半导体？ 1 SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n一文看懂Sic功率器件 知乎2020年7月3日 摘要： 探究了不同碳源对以硅微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的影响，采用FactSage软件对制备SiC的反应过程进行了热力学计算，得出理论反应起始温度;探究了分别以石油焦、活性炭、石墨粉和蔗糖为还原剂对冶炼效果的影响。 研究表明：以硅微粉为硅源通过碳热还原反应制备碳化硅的 不同碳源对硅微粉制备碳化硅的影响2023年5月5日 ①稀土氧化物可与碳化硅陶瓷中的杂质 反应形成液相，加快扩散速率，降低烧结温度，液相环境对碳化硅晶格还具有活化作用，从而可有效促进碳化硅陶瓷的烧结。②稀土氧化物与碳化硅形成固溶体，使碳化硅晶界处减少或消除玻璃相，具有净化 提高碳化硅陶瓷性能的方法 知乎2015年10月25日 1、碳化硅材料的氧化机理碳化硅材料在普通条件下 (如大气1000。 (2—2000)具有较好的抗氧化性能，这是由于在高温条件下，碳化硅材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体结合牢固的SiO：膜，氧在Si02氧化膜中的扩散系数非常小，因此碳化硅材料的氧化 碳化硅材料的氧化及抗氧化研究 豆丁网
碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 转载自：信熹资本Part I 简介01 什么是碳化硅纯碳化硅（SiC）是无色透明的晶体，又名莫桑石（Moissanite）, 高品质莫桑石的火彩好于钻石。天然碳化硅非常罕见，仅出现在陨石坑内，常见碳化硅主要通过人工合成得到。碳化硅又叫金刚砂，具有优良的热力学和电化学性能。2020年8月21日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学2018年6月29日 碳化硅杂质原子及电离能 作者：海飞乐技术 时间： 15:00 杂质碳化硅中的杂质原子一般以替换硅或碳原子的替位方式存在。 其中，氮、磷等原子一般只替代碳，铝原子只替代硅，而硼原子则既可替代硅也可替代碳。 但是，由于立方结构中的硅位 碳化硅杂质原子及电离能海飞乐技术有限公司2021年6月9日 工业生产的碳化硅砂除主成分SiC外，通常含有的杂质。这些杂质主要有： （1）游离硅。它一部分溶解于SiC晶体中，一部分与其杂质（如铁、铝、钙等）形成合金而粘附于晶体上或嵌在晶体中。（2）游离二氧化硅。通常存在于晶体表面。碳化硅及其在耐火材料中的应用 知乎2019年11月29日 一、原料简述 1矿物性质 碳化硅的分子式为SiC,含微量的A1、Ca、Mg、Fe等元素。碳化硅有a和3两类晶型。B碳化硅是低温型碳化硅；a—碳化硅是高温型碳化硅。③碳化硅为等轴晶系矿物，折射率为263,密度3215g/cm 碳化硅质耐火原料的矿物、物理、化学性质简述与技术条件
碳化硅含量的测定方法 豆丁网
2011年3月22日 分析方法本方法为质量分析法,适用于炭素行业碳化硅含量大于10%产品的碳化硅含量分析。 方法原理将试样灰化除碳,加入硝酸、硫酸、氢氟酸,之与试样中的硅、二氧化硅反应生成四氟化硅除掉,反应式如下。 之后,再加入盐酸溶解杂质,经过残留物质为碳化硅,经 2022年6月15日 碳化硅(silicon carbide，SiC)作为第三代半导体材料，具有比硅(Si)更优越的性能。不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有独特的应用优势，使得其在轨道交通、新能源汽车 论文合集 SiC最新研究进展材料电子碳化硅2021年8月24日 碳化硅的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，能够以更高的杂质浓度和更薄的漂移层，制作耐受电压高达600V至数千V的功率器件。 高耐压功率器件的阻抗主要取决于该漂移层的阻抗，因此采用碳化硅可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。碳化硅功率器件之一 知乎2023年1月2日 半绝缘型碳化硅衬底：半绝缘衬底制备工艺通过去除晶体中的各种杂质，特别是浅能级杂质，实现晶体本征高电 阻率。 PVT 法在高温条件下制备碳化硅衬底时，生长反应腔室内的碳化硅粉料、石墨材料等都会释放出杂质并生长进入晶体，影响晶体纯度和电学性 碳化硅 SiC 知乎2005年3月19日 与杂质的离化程度有着密切的联系0如果像,1 和 IJKD那样在常温下认为杂质全部离化，势必给用常 规的器件模型来分析,12 器件的特性带来误差0所 以杂质的离化率"是必须考虑的问题0由于碳化硅 具有特殊的晶格结构，当杂质位于不同的晶格点时界面态电荷对 ! 碳化硅 沟 $%’() 物理学报
碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等涨知识
2017年11月7日 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅，α碳化硅在2400℃依然安稳。2023年6月26日 关注 全球与中国单晶碳化硅衬底行业发展状况分析及投资策略分析报告20232030年 1 单晶碳化硅衬底市场概述 11 单晶碳化硅衬底行业概述及统计范围 12 按照不同产品类型，单晶碳化硅衬底主要可以分为如下几个类别 121 不同产品类型单晶碳化硅衬 硅与碳化硅半导体掺杂工艺的差异？以及产生差异的物理特性 2022年11月24日 但是，用艾奇逊法所获得的黑碳化硅粉存在杂质的问题，而用化学气相生长法可以获得高纯度的碳化硅但存在生产率低的问题。 此外，还公开了对液态的硅化合物与加热产生碳的有机化合物的混合物进行加热并使其反应，各杂质元素的含有量在05ppm以下的碳化硅单晶制造用碳化硅粉体的制造方法 黑碳化硅粉 知乎